半导体颠覆性技术迭出？深南电路、沪硅产业涨超2%，电子ETF（515260）盘中摸高0.75%

　　今日（8月13日）电子板块逆市活跃，截至14时18分，、涨超2%，、涨逾1%，、、等个股跟涨。 热门ETF方面，覆盖半导体芯片和苹果产业链的电子ETF（515260）场内价格盘中摸高0.75%，现跌0.3%。

　　消息面上，复旦大学周鹏-刘春森团队研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。

　　此前，中国科学院上海微系统与信息技术研究所开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料，这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1 纳米时，也能有效阻止电流泄漏。8 月7 日，相关成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors）为题，发表于国际学术期刊《自然》。

　　表示，未来随着新型芯片技术成熟应用并大规模出货，有望为晶圆厂提供突破先进制程的工艺瓶颈。

　　布局工具上，电子ETF（515260）紧密跟踪电子50指数，覆盖半导体芯片和苹果产业链，截至二季度末，含“芯”量40%，含“果”量25%，全面覆盖AI芯片、消费电子、汽车电子、5G、云计算等热门产业龙头公司，一键布局A股电子核心资产。看好消费电子和半导体发展机遇的投资者，或可重点关注。

　　注：电子ETF（515260）跟踪的电子50指数近5个完整年度的涨跌幅为：2019年，59.61%；2020年，25.26%；2021年，3.27%；2022年，-38.63%；2023年，1.03%。

　　风险提示：电子ETF（515260）被动跟踪中证电子50指数，该指数基日为2008.12.31，发布于2009.7.22，指数成份股构成根据该指数编制规则适时调整。文中指数成份股仅作展示，个股描述不作为任何形式的投资建议，也不代表管理人旗下任何基金的持仓信息和交易动向。基金管理人评估的该基金风险等级为R3-中风险，适宜平衡型（C3）及以上的投资者，适当性匹配意见请以销售机构为准。任何在本文出现的信息（包括但不限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等）均只作为参考，投资人须对任何自主决定的投资行为负责。另，本文中的任何观点、分析及预测不构成对阅读者任何形式的投资建议，亦不对因使用本文内容所引发的直接或间接损失负任何责任。基金投资有风险，基金的过往业绩并不代表其未来表现，基金管理人管理的其他基金的业绩并不构成基金业绩表现的保证，基金投资需谨慎。